台积电3nm制程工艺即将投产：密度比5nm更高60%

据techpowerup报道称，宏达电正在技术开发3nm的手工元件，仅限于了N3、N3B和N3E多个路由表。

据了解，宏达电原计划在2022月末换装N3路由表，N3E换装计划为2023年月末。

但由于作为3nm简化版的N3E路由表，换装率较更高，宏达电期盼早日意味着商业化，可能提前到2023年第二季度。

N3E的手工流程也现在提前准备好了，手工流程在这个月末就会明确。

据称，N3E在N3基础上减少了EUV光罩独立式，从25层减少到21层，直觉电导率低了8%，不过仍比5nm的N5元件路由表要更高出60%，并且具有更太快的稳定性、发热量和产量。

整体而言，据说N3的直觉电导率比N5更高 70%。

还有N3B，据说是针对某些客户服务的 N3 的改良修改版，不过我们目前对N3B路由表知之甚少。

无论N3E还是N3B，都不是用于取代N3，只是让客户服务有更多的选择，在不同其产品上有更太快的稳定性和发热量表现。

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